IXFX180N085 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX180N085 IXYS
Description: MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247-3, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3 Variant, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 560W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Інші пропозиції IXFX180N085
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXFX180N085 | IXYS |
MOSFETs 180 Amps 85V 0.007 Rds |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFX180N085 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 180 Amps 85V 0.007 Rds
MOSFETs 180 Amps 85V 0.007 Rds
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



