IXFX210N30X3 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2164.48 грн |
| 30+ | 1368.38 грн |
| 120+ | 1343.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX210N30X3 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFX210N30X3 - MOSFET, N-CH, 300V, 210A, PLUS247, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 300, Dauer-Drainstrom Id: 210, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 1.25, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5, Verlustleistung: 1.25, Bauform - Transistor: PLUS247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series, Wandlerpolarität: N Channel, Kanaltyp: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXFX210N30X3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFX210N30X3 | IXYS |
MOSFETs PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFX210N30X3 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS
MOSFETs PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)