Продукція > IXYS > IXFX220N17T2
IXFX220N17T2

IXFX220N17T2 IXYS

IXFK(X)220N17T2.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 220A; 1250W; PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Case: PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 500nC
On-state resistance: 6.3mΩ
Drain-source voltage: 170V
Drain current: 220A
Power dissipation: 1.25kW
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+935.71 грн
3+773.45 грн
10+717.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX220N17T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3 Variant, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFX220N17T2 за ціною від 667.59 грн до 1043.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFX220N17T2 IXFX220N17T2 Виробник : IXYS media-3320383.pdf MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1043.34 грн
10+906.88 грн
30+767.03 грн
60+723.92 грн
120+680.80 грн
270+667.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N17T2 IXFX220N17T2 Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.