Продукція > IXYS > IXFX220N17T2
IXFX220N17T2

IXFX220N17T2 IXYS

media-3320383.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1116.45 грн
10+970.43 грн
30+820.78 грн
60+774.65 грн
120+728.51 грн
270+714.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX220N17T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX220N17T2 за ціною від 821.34 грн до 1197.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFX220N17T2 Виробник : IXYS IXFX220N17T2 THT N channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1182.03 грн
2+868.78 грн
4+821.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N17T2 Виробник : Ixys Corporation Trans MOSFET N-CH 170V 220A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1197.98 грн
12+1100.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N17T2 IXFX220N17T2 Виробник : Littelfuse mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_220n17t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 170V 220A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX220N17T2 IXFX220N17T2 Виробник : Littelfuse Inc. Description: MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.