на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1805.67 грн |
| 10+ | 1651.54 грн |
| 30+ | 1354.42 грн |
| 120+ | 1197.66 грн |
| 270+ | 1148.5 грн |
| 510+ | 1140.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX230N20T IXYS
Description: LITTELFUSE - IXFX230N20T - MOSFET, N-CH, 200V, 230A, PLUS247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.67kW, Bauform - Transistor: PLUS247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: GigaMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXFX230N20T за ціною від 1354.7 грн до 1907.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFX230N20T | Виробник : LITTELFUSE |
 Description: LITTELFUSE - IXFX230N20T - MOSFET, N-CH, 200V, 230A, PLUS247tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67kW Bauform - Transistor: PLUS247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: GigaMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXFX230N20T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 230A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXFX230N20T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 230A Power dissipation: 1670W Case: PLUS247™ On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 358nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
.jpg "IXFX230N20T") |
IXFX230N20T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1670W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXFX230N20T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 230A Power dissipation: 1670W Case: PLUS247™ On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 358nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet |
товар відсутній |