
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1519.49 грн |
10+ | 1503.53 грн |
25+ | 1326.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX230N20T Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXFX230N20T - MOSFET, N-CH, 200V, 230A, PLUS247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.67kW, Bauform - Transistor: PLUS247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: GigaMOS Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IXFX230N20T за ціною від 1185.19 грн до 2333.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFX230N20T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFX230N20T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1670W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V |
на замовлення 1329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFX230N20T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFX230N20T | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.67kW Bauform - Transistor: PLUS247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: GigaMOS Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXFX230N20T | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IXFX230N20T | Виробник : IXYS | IXFX230N20T THT N channel transistors |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXFX230N20T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXFX230N20T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |