IXFX230N20T IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1.67kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1679.88 грн |
| 3+ | 1442.48 грн |
| 5+ | 1356.10 грн |
| 10+ | 1218.56 грн |
| 30+ | 1198.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX230N20T IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1670W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX230N20T за ціною від 1066.91 грн до 1693.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFX230N20T | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 1670W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V |
на замовлення 382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFX230N20T | IXYS |
MOSFETs 230A 200V |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXFX230N20T |
|
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1693.82 грн |
| 30+ | 1107.17 грн |
| 120+ | 1066.91 грн |
| IXFX230N20T |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 230A 200V
MOSFETs 230A 200V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)