IXFX24N100Q3 IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2166.85 грн |
| 30+ | 1352.69 грн |
| 120+ | 1296.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX24N100Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX24N100Q3 за ціною від 1771.93 грн до 2178.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFX24N100Q3 | Виробник : IXYS |
 MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFX24N100Q3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 24A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXFX24N100Q3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 24A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXFX24N100Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 24A Power dissipation: 1kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 300 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IXFX24N100Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 24A Power dissipation: 1kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 440mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |