Продукція > LITTELFUSE > IXFX26N100P

IXFX26N100P Littelfuse

Name: IXFX26N100P
Brand: IXYS
SKU: 459857021-1
Price: 2492.69 UAH
Availability: BackOrder

te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n100p_datasheet.pdf.pdf

Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 20A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFX26N100P Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 780W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX26N100P

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXFX26N100P	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 26A Power dissipation: 780W Case: PLUS247™ On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFX26N100P	Виробник : Littelfuse Inc.	Description: MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 780W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFX26N100P	Виробник : IXYS	MOSFETs 26 Amps 1000V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFX26N100P	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 26A Power dissipation: 780W Case: PLUS247™ On-state resistance: 390mΩ Mounting: THT Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.