Продукція > IXYS > IXFX26N120P
IXFX26N120P

IXFX26N120P IXYS

media-3323008.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs 32 Amps 1200V 0.46 Rds
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2881.30 грн
10+2523.72 грн
30+1769.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX26N120P IXYS

Description: MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX26N120P за ціною від 1601.89 грн до 1848.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFX26N120P Виробник : IXYS/Littelfuse littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n120p_datasheet.pdf.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 1 200; Id = 26 А; Ptot, Вт = 960; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 16000 @ 25; Qg, нКл = 225 @ 10 В; Rds = 500 мОм @ 13 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 6,5 В @ 1 мА; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1848.33 грн
10+1725.11 грн
100+1601.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120P IXFX26N120P Виробник : Littelfuse lfusediscretemosfetsnchannelhiperfetsixf26n120pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120P IXFX26N120P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n120p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120P IXFX26N120P Виробник : IXYS IXFK(X)26N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120P IXFX26N120P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_26n120p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120P IXFX26N120P Виробник : IXYS IXFK(X)26N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 26A; 960W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 960W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.