Продукція > IXYS > IXFX27N80Q
IXFX27N80Q

IXFX27N80Q IXYS


IXFK(X)27N80Q.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 186 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1385.51 грн
2+ 1216.31 грн
10+ 1209.35 грн
30+ 1169.02 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX27N80Q IXYS

Description: MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX27N80Q за ціною від 1402.82 грн до 1781.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFX27N80Q IXFX27N80Q Виробник : IXYS IXFK(X)27N80Q.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1662.61 грн
2+ 1515.71 грн
10+ 1451.22 грн
30+ 1402.82 грн
IXFX27N80Q IXFX27N80Q Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80q_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1781.61 грн
30+ 1422.53 грн
IXFX27N80Q IXFX27N80Q
Код товару: 56425
littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80q_datasheet.pdf.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IXFX27N80Q IXFX27N80Q Виробник : Littelfuse ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80q_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товар відсутній
IXFX27N80Q IXFX27N80Q Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товар відсутній
IXFX27N80Q IXFX27N80Q Виробник : IXYS media-3321737.pdf MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
товар відсутній