IXFX27N80Q IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1385.51 грн |
2+ | 1216.31 грн |
10+ | 1209.35 грн |
30+ | 1169.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX27N80Q IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX27N80Q за ціною від 1402.82 грн до 1781.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXFX27N80Q | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Power dissipation: 481W Case: PLUS247™ On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 186 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFX27N80Q | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXFX27N80Q Код товару: 56425 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||||||||||
IXFX27N80Q | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товар відсутній |
||||||||||||
IXFX27N80Q | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товар відсутній |
||||||||||||
IXFX27N80Q | Виробник : IXYS | MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds |
товар відсутній |