.jpg "IXFX320N17T2")
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2326.86 грн |
| 10+ | 2066.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX320N17T2 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 320A; 1670W; PLUS247™, Case: PLUS247™, Mounting: THT, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Kind of package: tube, Power dissipation: 1670W, Gate charge: 640nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 320A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 170V, Type of transistor: N-MOSFET, On-state resistance: 5.2mΩ, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXFX320N17T2 за ціною від 1581.57 грн до 2343.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFX320N17T2 | Виробник : IXYS |
 MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXFX320N17T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 170V 320A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IXFX320N17T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 320A; 1670W; PLUS247™ Case: PLUS247™ Mounting: THT Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Kind of package: tube Power dissipation: 1670W Gate charge: 640nC Polarisation: unipolar Drain current: 320A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 170V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 5.2mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IXFX320N17T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 170V; 320A; 1670W; PLUS247™ Case: PLUS247™ Mounting: THT Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Kind of package: tube Power dissipation: 1670W Gate charge: 640nC Polarisation: unipolar Drain current: 320A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 170V Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 5.2mΩ |
товар відсутній |