на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2131.17 грн |
| 10+ | 1903.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX32N80Q3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 1000W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX32N80Q3 за ціною від 1401.24 грн до 2282.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFX32N80Q3 | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1000W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 25 V |
на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFX32N80Q3 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 800V 32A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXFX32N80Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; PLUS247™ Case: PLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.14µC On-state resistance: 0.27Ω Drain current: 32A Power dissipation: 1kW Drain-source voltage: 800V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |