Продукція > LITTELFUSE > IXFX32N90P

IXFX32N90P Littelfuse

Name: IXFX32N90P
Brand: IXYS
SKU: 459857030-1
Price: 1557.81 UAH
Availability: BackOrder

ete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_32n90p_datasheet.pdf.pdf

Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 900V 32A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFX32N90P Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX32N90P

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXFX32N90P	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 215nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: PLUS247™ Drain-source voltage: 900V Drain current: 32A On-state resistance: 0.3Ω кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFX32N90P	Виробник : Littelfuse Inc.	Description: MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10600 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFX32N90P	Виробник : IXYS	MOSFETs Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFX32N90P	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 960W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 215nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: PLUS247™ Drain-source voltage: 900V Drain current: 32A On-state resistance: 0.3Ω	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.