IXFX360N10T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 913.22 грн |
| 2+ | 685.34 грн |
| 4+ | 648.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX360N10T IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX360N10T за ціною від 579.73 грн до 1306.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFX360N10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFX360N10T | Виробник : IXYS |
MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A |
на замовлення 841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXFX360N10T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 360A Power dissipation: 1.25kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 525nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFX360N10T | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXFX360N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |