Продукція > IXYS > IXFX360N10T
IXFX360N10T

IXFX360N10T IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_360n10t_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+889 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX360N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX360N10T за ціною від 570.95 грн до 1092.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFX360N10T IXFX360N10T Виробник : IXYS IXFK(X)360N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+910.69 грн
2+ 603.63 грн
4+ 570.95 грн
IXFX360N10T IXFX360N10T Виробник : IXYS media-3320211.pdf MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+965.81 грн
10+ 838.39 грн
30+ 709 грн
60+ 669.62 грн
120+ 629.56 грн
270+ 610.2 грн
510+ 578.15 грн
IXFX360N10T IXFX360N10T Виробник : IXYS IXFK(X)360N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1092.83 грн
2+ 752.22 грн
4+ 685.14 грн
IXFX360N10T IXFX360N10T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_360n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товар відсутній