Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFX360N10T
IXFX360N10T

IXFX360N10T Littelfuse Inc.

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=3302272A-7358-4244-BB39-82582CDD4564 Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+995.54 грн
30+591.23 грн
120+561.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX360N10T Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX360N10T за ціною від 598.87 грн до 1309.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFX360N10T IXFX360N10T Виробник : IXYS IXFK(X)360N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: PLUS247™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1001.13 грн
2+663.58 грн
4+627.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10T IXFX360N10T Виробник : IXYS media-3320211.pdf MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1075.42 грн
10+941.90 грн
30+598.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10T IXFX360N10T Виробник : IXYS IXFK(X)360N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Case: PLUS247™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 525nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1201.35 грн
2+826.92 грн
4+753.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10T IXFX360N10T Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1309.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10T IXFX360N10T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixf_360n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.