Продукція > IXYS > IXFX360N10T
IXFX360N10T

IXFX360N10T IXYS

IXFK(X)360N10T.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 525nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+884.80 грн
3+782.79 грн
10+677.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX360N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX360N10T за ціною від 545.66 грн до 1382.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFX360N10T IXFX360N10T Виробник : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXF-360N10T-Datasheet.PDF?assetguid=3302272A-7358-4244-BB39-82582CDD4564 Description: MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+967.76 грн
30+574.73 грн
120+545.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10T IXFX360N10T Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXF_360N10T_Datasheet.PDF MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1037.21 грн
10+643.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10T IXFX360N10T Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1382.59 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.