IXFX360N15T2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2328.28 грн |
| 30+ | 1464.24 грн |
| 120+ | 1423.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX360N15T2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 1670W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX360N15T2 за ціною від 1770.24 грн до 2339.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFX360N15T2 | Виробник : IXYS |
 MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXFX360N15T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXFX360N15T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IXFX360N15T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXFX360N15T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 360A; 1670W; 150ns Case: PLUS247™ Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 715nC Reverse recovery time: 150ns On-state resistance: 4mΩ Drain current: 360A Power dissipation: 1.67kW Drain-source voltage: 150V Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™ |
товару немає в наявності |