Продукція > IXYS > IXFX44N50Q
IXFX44N50Q

IXFX44N50Q IXYS



Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX44N50Q IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3 Variant, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFX44N50Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFX44N50Q IXFX44N50Q IXYS ixys-s-a0008598335-1.pdf MOSFETs 44 Amps 500V 0.12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N50Q ixys-s-a0008598335-1.pdf
IXFX44N50Q
Виробник: IXYS
MOSFETs 44 Amps 500V 0.12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.