на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2610.08 грн |
| 10+ | 2127.78 грн |
| 30+ | 1796.54 грн |
| 60+ | 1761.96 грн |
| 120+ | 1728.85 грн |
| 270+ | 1707.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX52N100X IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 52A PLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6725 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX52N100X
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFX52N100X | Виробник : Littelfuse |
 Power MOSFET |
товару немає в наявності |
|
 |
IXFX52N100X | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 52A PLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 1250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6725 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |