Продукція > IXYS > IXFX55N50F

IXFX55N50F IXYS


DS98855A(IXFK-FX55N50F)-1109973.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 500V 55A
на замовлення 68 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX55N50F IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 27.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 560W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX55N50F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFX55N50F IXFX55N50F Виробник : IXYS DS98855A(IXFK-FX55N50F).pdf Description: MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 25 V
товар відсутній