.jpg "IXFX64N60Q3")
Технічний опис IXFX64N60Q3 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; PLUS247™, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 64A, Power dissipation: 1250W, Case: PLUS247™, On-state resistance: 95mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 190nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції IXFX64N60Q3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFX64N60Q3 | Виробник : IXYS |
 MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
IXFX64N60Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1250W Case: PLUS247™ On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 190nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|
|
|
IXFX64N60Q3 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1250W Case: PLUS247™ On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 190nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |