Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFX66N85X
IXFX66N85X

IXFX66N85X Littelfuse Inc.


Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1988.18 грн
30+1238.00 грн
120+1181.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX66N85X Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX66N85X

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFX66N85X IXFX66N85X IXYS media-3321291.pdf MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N85X IXFX66N85X IXYS IXFK(X)66N85X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 66A; 1250W; PLUS247™; 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 230nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N85X IXFX66N85X Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 850V 66A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N85X media-3321291.pdf
IXFX66N85X
Виробник: IXYS
MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N85X IXFK(X)66N85X.pdf
IXFX66N85X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 66A; 1250W; PLUS247™; 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 1.25kW
Gate charge: 230nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 66A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: PLUS247™
On-state resistance: 65mΩ
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX66N85X media.pdf
IXFX66N85X
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 850V 66A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.