
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1117.50 грн |
10+ | 892.57 грн |
30+ | 723.18 грн |
60+ | 690.81 грн |
120+ | 662.11 грн |
270+ | 619.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX78N50P3 IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 78A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX78N50P3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXFX78N50P3 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFX78N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 78A Power dissipation: 1.13kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFX78N50P3 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 78A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXFX78N50P3 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 78A Power dissipation: 1.13kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |