.jpg "IXFX80N50P")
IXFX80N50P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1447.16 грн |
| 10+ | 1238.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXFX80N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXFX80N50P за ціною від 975.13 грн до 1587.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXFX80N50P | Виробник : IXYS |
MOSFET 500V 80A |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXFX80N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXFX80N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 80A Power dissipation: 1.04kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXFX80N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 80A; 1040W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 80A Power dissipation: 1.04kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 197nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |