Продукція > IXYS > IXFX80N50Q3
IXFX80N50Q3

IXFX80N50Q3 IXYS


media-3319681.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2532.34 грн
10+2267.89 грн
30+1865.19 грн
60+1648.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX80N50Q3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 1250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX80N50Q3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFX80N50Q3 IXFX80N50Q3 Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_80n50q3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50Q3 IXFX80N50Q3 Виробник : Littelfuse screte-mosfets-n-channel-hiperfets-ixf-80n50q3-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50Q3 IXFX80N50Q3 Виробник : Littelfuse screte-mosfets-n-channel-hiperfets-ixf-80n50q3-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 80A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50Q3 Виробник : IXYS IXFX80N50Q3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX80N50Q3 IXFX80N50Q3 Виробник : IXYS Description: MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.