Продукція > IXYS > IXFX94N50P2
IXFX94N50P2

IXFX94N50P2 IXYS


media-3322145.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
на замовлення 251 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1884.82 грн
10+1857.04 грн
30+1164.58 грн
60+1086.60 грн
120+1034.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFX94N50P2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFX94N50P2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFX94N50P2 IXFX94N50P2 Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_94n50p2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 94A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX94N50P2 IXFX94N50P2 Виробник : IXYS IXFx94N50P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 94A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar2™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX94N50P2 IXFX94N50P2 Виробник : IXYS Description: MOSFET N-CH 500V 94A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX94N50P2 IXFX94N50P2 Виробник : IXYS IXFx94N50P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 94A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 94A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 228nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Reverse recovery time: 250ns
Technology: HiPerFET™; Polar2™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.