Продукція > IXYS > IXFY30N25X3
IXFY30N25X3

IXFY30N25X3 IXYS

IXFA(P,Y)30N25X3.pdf Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO252; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO252
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 82ns
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+380.12 грн
4+ 271.74 грн
9+ 257.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFY30N25X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFY30N25X3 за ціною від 233.83 грн до 482.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXFY30N25X3 IXFY30N25X3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+456.13 грн
10+ 376.55 грн
100+ 313.76 грн
500+ 259.81 грн
1000+ 233.83 грн
IXFY30N25X3 IXFY30N25X3 Виробник : IXYS IXFA(P,Y)30N25X3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO252; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Case: TO252
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 82ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+456.15 грн
4+ 338.63 грн
9+ 308.83 грн
IXFY30N25X3 IXFY30N25X3 Виробник : IXYS media-3323757.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 3&44
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+482.29 грн
10+ 407.94 грн
25+ 321.6 грн
70+ 295.38 грн
280+ 265.01 грн
560+ 260.18 грн
1050+ 245.69 грн
IXFY30N25X3 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IXFY30N25X3 IXFY30N25X3 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній