Продукція > IXYS > IXFY30N25X3
IXFY30N25X3

IXFY30N25X3 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC427F861F7820&compId=IXFA(P%2CY)30N25X3.pdf?ci_sign=ae8a69574c4f05e2b40aab94d30059204cd230fc Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO252; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Case: TO252
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+337.48 грн
5+276.69 грн
25+259.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFY30N25X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFY30N25X3 за ціною від 259.36 грн до 505.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFY30N25X3 IXFY30N25X3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CC427F861F7820&compId=IXFA(P%2CY)30N25X3.pdf?ci_sign=ae8a69574c4f05e2b40aab94d30059204cd230fc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO252; 82ns
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Drain-source voltage: 250V
Kind of channel: enhancement
Case: TO252
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.97 грн
5+344.80 грн
25+310.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3 IXFY30N25X3 Виробник : IXYS media-3323757.pdf MOSFETs TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.43 грн
25+429.59 грн
70+266.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3 IXFY30N25X3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.94 грн
10+417.67 грн
100+348.03 грн
500+288.18 грн
1000+259.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3 IXFY30N25X3 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n25x3_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.