Продукція > IXYS > IXFY30N25X3
IXFY30N25X3

IXFY30N25X3 IXYS

IXFA(P,Y)30N25X3.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 30A; 170W; TO252; 82ns
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Case: TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 82ns
On-state resistance: 60mΩ
Drain current: 30A
Power dissipation: 170W
Drain-source voltage: 250V
Polarisation: unipolar
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+351.69 грн
5+288.35 грн
25+269.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFY30N25X3 IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXFY30N25X3 за ціною від 203.07 грн до 527.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFY30N25X3 IXFY30N25X3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_30N25X3_Datasheet.PDF MOSFETs TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.90 грн
10+317.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3 IXFY30N25X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-30n25x3-datasheet?assetguid=f98c5907-f43b-4415-a418-45a0a7855e6d Description: MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 6203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+527.33 грн
70+263.87 грн
140+243.25 грн
560+203.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_30N25X3_Datasheet.PDF
IXFY30N25X3
Виробник: IXYS
MOSFETs TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+521.90 грн
10+317.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY30N25X3 littelfuse-discrete-mosfets-ixf-30n25x3-datasheet?assetguid=f98c5907-f43b-4415-a418-45a0a7855e6d
IXFY30N25X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 30A TO252AA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
на замовлення 6203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+527.33 грн
70+263.87 грн
140+243.25 грн
560+203.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.