Продукція > LITTELFUSE INC. > IXFY36N20X3
IXFY36N20X3

IXFY36N20X3 Littelfuse Inc.


Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 25 V
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+343.27 грн
70+206.19 грн
140+194.70 грн
560+167.99 грн
1050+144.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFY36N20X3 Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXFY36N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.038 ohm, TO-252, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-252, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXFY36N20X3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFY36N20X3 IXFY36N20X3 IXYS media-3319939.pdf MOSFETs TO252 200V 36A N-CH X3CLASS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY36N20X3 IXFY36N20X3 LITTELFUSE LFSI-S-A0007907359-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXFY36N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.038 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY36N20X3 media-3319939.pdf
IXFY36N20X3
Виробник: IXYS
MOSFETs TO252 200V 36A N-CH X3CLASS
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY36N20X3 LFSI-S-A0007907359-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXFY36N20X3
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXFY36N20X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.038 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.