IXFY4N60P3 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_4n60p3_datasheet.pdf.pdf

Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 114W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXFY4N60P3 IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 4A, Pulsed drain current: 8A, Power dissipation: 114W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.4Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 6.9nC, Kind of channel: enhancement, Technology: HiPerFET™; Polar3™, Reverse recovery time: 250ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXFY4N60P3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXFY4N60P3	Виробник : IXYS	Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFY4N60P3	Виробник : IXYS	MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXFY4N60P3	Виробник : IXYS	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 4A; Idm: 8A; 114W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 114W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of channel: enhancement Technology: HiPerFET™; Polar3™ Reverse recovery time: 250ns	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.