Продукція > IXYS > IXFY4N85X
IXFY4N85X

IXFY4N85X IXYS

IXFA(P,Y)4N85X.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X-Class; unipolar; 850V; 3.5A; Idm: 10A; 150W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 150W
Gate charge: 7nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X-Class
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 850V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO252
On-state resistance: 2.5Ω
Reverse recovery time: 170ns
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+315.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFY4N85X IXYS

Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFY4N85X за ціною від 111.44 грн до 328.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFY4N85X IXFY4N85X IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-4n85x-datasheet?assetguid=37800473-7654-42bc-92bc-235668b1794c Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.66 грн
70+156.80 грн
140+143.28 грн
560+114.82 грн
1050+111.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N85X IXYS DS100768(IXFY-FA-FP4N85X)_-1092833.pdf MOSFET 850V/3.5A Ultra Junction X-Class HiPerFET Power MOSFET, TO-252
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N85X littelfuse-discrete-mosfets-ixf-4n85x-datasheet?assetguid=37800473-7654-42bc-92bc-235668b1794c
IXFY4N85X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 850 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 247 pF @ 25 V
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+328.66 грн
70+156.80 грн
140+143.28 грн
560+114.82 грн
1050+111.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFY4N85X DS100768(IXFY-FA-FP4N85X)_-1092833.pdf
Виробник: IXYS
MOSFET 850V/3.5A Ultra Junction X-Class HiPerFET Power MOSFET, TO-252
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.