Продукція > IXYS > IXFZ140N25T

IXFZ140N25T IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfz140n25t_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
IXFZ140N25T SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXFZ140N25T IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 100A DE475, Packaging: Tube, Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 445W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: DE475, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXFZ140N25T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXFZ140N25T IXFZ140N25T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixfz140n25t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 100A DE475
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 445W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: DE475
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFZ140N25T IXFZ140N25T Виробник : IXYS media-3319035.pdf MOSFETs DiscMSFT NChTrenchGate-Gen1 DE475
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.