на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 422.15 грн |
| 10+ | 350.1 грн |
| 50+ | 258.37 грн |
| 100+ | 245.68 грн |
| 250+ | 239.01 грн |
| 500+ | 235 грн |
| 1000+ | 229.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGA12N120A3 IXYS
Description: IGBT 1200V 22A 100W TO263, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-263AA, IGBT Type: PT, Gate Charge: 20.4 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 22 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції IXGA12N120A3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGA12N120A3 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 22A 100mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|
 |
IXGA12N120A3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 12A Power dissipation: 100W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 20.4nC Kind of package: tube Turn-on time: 202ns Turn-off time: 1545ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXGA12N120A3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1200V 22A 100W TO263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-263AA IGBT Type: PT Gate Charge: 20.4 nC Current - Collector (Ic) (Max): 22 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 100 W |
товар відсутній |
|
|
|
IXGA12N120A3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 12A Power dissipation: 100W Case: TO263 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 20.4nC Kind of package: tube Turn-on time: 202ns Turn-off time: 1545ns |
товар відсутній |