Продукція > IXYS > IXGA20N120A3-TRL

IXGA20N120A3-TRL IXYS


PdfFile111734.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 40A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 44 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGA20N120A3-TRL IXYS

Description: IGBT PT 1200V 40A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 44 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns, Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off), Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 50 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 180 W.

Інші пропозиції IXGA20N120A3-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXGA20N120A3-TRL IXGA20N120A3-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_20N120A3_Datasheet.PDF IGBTs IXGA20N120A3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3-TRL IXGA20N120A3-TRL IXYS PdfFile111734.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 180W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3-TRL Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_20N120A3_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IGBTs IXGA20N120A3 TRL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3-TRL PdfFile111734.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 180W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.