IXGA20N120A3 IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 601.69 грн |
| 3+ | 346.73 грн |
| 8+ | 327.83 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGA20N120A3 IXYS
Description: IGBT PT 1200V 40A TO-263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263AA, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns, Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off), Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 50 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 180 W.
Інші пропозиції IXGA20N120A3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGA20N120A3 | IXYS |
IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXGA20N120A3 |
|
Виробник: IXYS
IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)