Продукція > LITTELFUSE > IXGA20N120A3
IXGA20N120A3

IXGA20N120A3 Littelfuse

littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_20n120a3_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+307.25 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGA20N120A3 Littelfuse

Description: IGBT PT 1200V 40A TO-263AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263AA, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns, Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off), Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 50 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 180 W.

Інші пропозиції IXGA20N120A3 за ціною від 343.35 грн до 573.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 Виробник : IXYS media-3319032.pdf IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.12 грн
10+473.82 грн
100+343.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3
Код товару: 56134
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IXYS DS100046A(IXGA-H-P20N120A3).pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-263
Vces: 1200 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 40 A
Ic 100: 20 A
Pd 25: 180 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 16/290
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-20n120a3-datasheet?assetguid=06a9f4bd-9bf8-42b7-93fd-ad79977369ac Description: IGBT PT 1200V 40A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120A3 IXGA20N120A3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 1.53µs
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 66ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.