Продукція > IXYS > IXGA20N120B3-TRL

IXGA20N120B3-TRL IXYS


PdfFile534321.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 36A TO-263
Power - Max: 180 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Part Status: Active
Gate Charge: 51 nC
Test Condition: 600V, 16A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: 920µJ (on), 560µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/150ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 16A
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGA20N120B3-TRL IXYS

Description: IGBT PT 1200V 36A TO-263, Power - Max: 180 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 36 A, Part Status: Active, Gate Charge: 51 nC, Test Condition: 600V, 16A, 15Ohm, 15V, Switching Energy: 920µJ (on), 560µJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 16ns/150ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 16A, Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), IGBT Type: PT, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak).

Інші пропозиції IXGA20N120B3-TRL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXGA20N120B3-TRL IXGA20N120B3-TRL IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_20N120B3_Datasheet.PDF IGBTs IXGA20N120B3 TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3-TRL IXGA20N120B3-TRL IXYS PdfFile534321.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 36A; 180W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 36A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3-TRL Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_20N120B3_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IGBTs IXGA20N120B3 TRL
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA20N120B3-TRL PdfFile534321.pdf
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 36A; 180W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 36A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 150ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.