IXGA24N120C3 IXYS
Виробник: IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO263
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Power dissipation: 250W
Gate charge: 79nC
Technology: GenX3™; PT
Pulsed collector current: 96A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 51ns
Case: TO263
Turn-off time: 430ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 24A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGA24N120C3 IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO263, Kind of package: tube, Collector-emitter voltage: 1.2kV, Power dissipation: 250W, Gate charge: 79nC, Technology: GenX3™; PT, Pulsed collector current: 96A, Type of transistor: IGBT, Turn-on time: 51ns, Case: TO263, Turn-off time: 430ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 24A, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXGA24N120C3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGA24N120C3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1200V 48A 250W TO263 |
товар відсутній |
|
 |
IXGA24N120C3 | Виробник : IXYS |
IGBT Modules 40khz PT IGBTs Power Device |
товар відсутній |
|
|
|
IXGA24N120C3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 24A; 250W; TO263 Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Power dissipation: 250W Gate charge: 79nC Technology: GenX3™; PT Pulsed collector current: 96A Type of transistor: IGBT Turn-on time: 51ns Case: TO263 Turn-off time: 430ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 24A Mounting: SMD |
товар відсутній |