IXGA30N120B3

IXGA30N120B3 Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 300000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+481.81 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGA30N120B3 Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGA30N120B3 - IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXGA30N120B3 за ціною від 402.14 грн до 852.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGA30N120B3 IXGA30N120B3 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGA30N120B3 - IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+639.85 грн
10+578.47 грн
50+528.87 грн
100+445.03 грн
250+402.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3 IXGA30N120B3 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-30n120b3-datasheet?assetguid=cb0c0eda-e177-4166-a05f-e0899ba5bd64 Description: IGBT PT 1200V 60A TO-263AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-263AA
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+852.13 грн
50+463.51 грн
100+429.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3 IXGA30N120B3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC94053C44F820&compId=IXGA(H%2CP)30N120B3.pdf?ci_sign=bccf7f842442b5dd94ada4fd3560ea2bc2b9462c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3 IXGA30N120B3 Виробник : IXYS media-3322947.pdf IGBTs GenX3 1200V IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGA30N120B3 IXGA30N120B3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAC94053C44F820&compId=IXGA(H%2CP)30N120B3.pdf?ci_sign=bccf7f842442b5dd94ada4fd3560ea2bc2b9462c Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.