IXGA30N120B3 Littelfuse
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 472.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGA30N120B3 Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGA30N120B3 - IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXGA30N120B3 за ціною від 394.72 грн до 919.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGA30N120B3 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGA30N120B3 - IGBT, 60 A, 3.5 V, 300 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXGA30N120B3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXGA30N120B3 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 1200V 60A TO-263AA Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-263AA IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off) Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 300 W |
на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXGA30N120B3 | Виробник : IXYS |
IGBTs GenX3 1200V IGBT |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXGA30N120B3 | Виробник : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO263 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO263 Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 331 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|