на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1790.95 грн |
| 10+ | 1568.28 грн |
| 50+ | 1329.18 грн |
| 100+ | 1192.34 грн |
| 500+ | 1023.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGF32N170 IXYS
Description: IGBT 1700V 44A 200W I4PAC, Packaging: Tube, Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 32A, Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns, Switching Energy: 10.6mJ (off), Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V, Gate Charge: 146 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 44 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 200 W.
Інші пропозиції IXGF32N170 за ціною від 1233.83 грн до 1649.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXGF32N170 | Виробник : IXYS |
 Description: IGBT 1700V 44A 200W I4PACPackaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 32A Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns Switching Energy: 10.6mJ (off) Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V Gate Charge: 146 nC Current - Collector (Ic) (Max): 44 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 200 W |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
 |
IXGF32N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 19A; 200W; ISOPLUS i4-pac™ x024c Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 19A Power dissipation: 200W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 146nC Kind of package: tube Turn-on time: 90ns Turn-off time: 920ns Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXGF32N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 19A; 200W; ISOPLUS i4-pac™ x024c Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 19A Power dissipation: 200W Case: ISOPLUS i4-pac™ x024c Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 146nC Kind of package: tube Turn-on time: 90ns Turn-off time: 920ns Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |