Продукція > IXYS > IXGF32N170
IXGF32N170

IXGF32N170 IXYS


media-3322282.pdf Виробник: IXYS
IGBTs 26 Amps 1700V 3.5 V Rds
на замовлення 129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1877.95 грн
10+1689.53 грн
25+1220.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGF32N170 IXYS

Description: IGBT 1700V 44A 200W I4PAC, Packaging: Tube, Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 32A, Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns, Switching Energy: 10.6mJ (off), Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V, Gate Charge: 146 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 44 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 200 W.

Інші пропозиції IXGF32N170 за ціною від 1064.45 грн до 1776.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGF32N170 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf32n170_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 44A 200W I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/270ns
Switching Energy: 10.6mJ (off)
Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V
Gate Charge: 146 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 44 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 200 W
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1776.25 грн
25+1417.81 грн
100+1329.21 грн
500+1064.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGF32N170 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixgf32n170_datasheet.pdf.pdf IXGF32N170 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.