IXGH12N120A3 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 1200V 22A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Gate Charge: 20.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 22 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 100 W
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH12N120A3 IXYS
Description: IGBT PT 1200V 22A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Gate Charge: 20.4 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 22 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції IXGH12N120A3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXGH12N120A3 | IXYS |
IGBTs GenX3 1200V IGBTs |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IXGH12N120A3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 12A Power dissipation: 100W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 20.4nC Kind of package: tube Turn-on time: 202ns Turn-off time: 1545ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
IXGH12N120A3 | Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 22A 100W 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXGH12N120A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
IGBTs GenX3 1200V IGBTs
IGBTs GenX3 1200V IGBTs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXGH12N120A3 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 12A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 20.4nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 202ns
Turn-off time: 1545ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IXGH12N120A3 |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 22A 100W 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 22A 100W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.





