IXGH16N170

IXGH16N170 IXYS


ixys_s_a0008595176_1-2272819.pdf
Код товару: 119539
Виробник: IXYS
Корпус: TO-247
Vces: 1700 V
Vce: 3,5 V
Ic 25: 32 A
Ic 100: 16 A
у наявності 6 шт:

1 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість Ціна
1+303.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXGH16N170 за ціною від 447.75 грн до 981.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : IXYS media-3320700.pdf IGBTs 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+787.51 грн
10+770.10 грн
30+507.41 грн
120+502.05 грн
510+492.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_16n170_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT NPT 1700V 32A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/400ns
Switching Energy: 9.3mJ (off)
Test Condition: 1360V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+873.40 грн
30+671.51 грн
120+600.81 грн
510+497.50 грн
1020+447.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595176-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH16N170 - IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 32A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+981.30 грн
5+905.75 грн
10+830.20 грн
50+700.74 грн
100+582.08 грн
250+517.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : Littelfuse littelfuse-discrete-igbts-npt-ixg-16n170-datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : Littelfuse littelfuse-discrete-igbts-npt-ixg-16n170-datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB99F1D44C151BF&compId=IXGH16N170-DTE.pdf?ci_sign=03a18b66e5d35198e9e236f78cf7b52f7cc4d616 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB99F1D44C151BF&compId=IXGH16N170-DTE.pdf?ci_sign=03a18b66e5d35198e9e236f78cf7b52f7cc4d616 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.