Продукція > Транзистори > IGBT > IXGH16N170 IXYS
IXGH16N170

IXGH16N170 IXYS

ixys_s_a0008595176_1-2272819.pdf
Код товару: 119539
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IXYS
Корпус: TO-247
Напруга колектор-емітер Vces, V: 1700 V
Напруга насичення Vce, V: 3,5 V
Струм колектора Ic при 25°C, A: 32 A
Струм колектора Ic при 100°C, A: 16 A
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
1+303.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXGH16N170 за ціною від 466.70 грн до 1053.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXGH16N170 IXGH16N170 Ixys Corporation littelfuse-discrete-igbts-npt-ixg-16n170-datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1018.33 грн
16+936.24 грн
30+934.03 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-16n170-datasheet?assetguid=521904d3-bd7b-4fb7-962a-763ceeddcbd3 Description: IGBT NPT 1700V 32A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/400ns
Switching Energy: 9.3mJ (off)
Test Condition: 1360V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1053.10 грн
30+620.97 грн
120+534.94 грн
510+466.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595176-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH16N170 - IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 32A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXG_16N170_Datasheet.PDF IGBTs 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 littelfuse-discrete-igbts-npt-ixg-16n170-datasheet.pdf
IXGH16N170
Виробник: Ixys Corporation
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1018.33 грн
16+936.24 грн
30+934.03 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 littelfuse-discrete-igbts-ixg-16n170-datasheet?assetguid=521904d3-bd7b-4fb7-962a-763ceeddcbd3
IXGH16N170
Виробник: IXYS
Description: IGBT NPT 1700V 32A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/400ns
Switching Energy: 9.3mJ (off)
Test Condition: 1360V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1053.10 грн
30+620.97 грн
120+534.94 грн
510+466.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXYS-S-A0008595176-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH16N170
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH16N170 - IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 32A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXG_16N170_Datasheet.PDF
IXGH16N170
Виробник: IXYS
IGBTs 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

HER508
Код товару: 197873
2 Додати до обраних Обраний товар
HER501-data.pdf
HER508
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Зворотна напруга Vrr, V: 1000 V
Середній струм Iav, A: 5 A
Час зворотного відновлення Trr, ns: 100 ns
у наявності: 645 шт
  • 234 шт - склад
  • 274 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 95 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
3+7.00 грн
10+6.00 грн
100+5.10 грн
1000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSEI60-12A
Код товару: 29351
Додати до обраних Обраний товар
Littelfuse-Power-Semiconductors-DSEI60-12A-Datasheet?assetguid=bcca0668-1e7f-4db6-9ef6-0ebe59060c4d
DSEI60-12A
Виробник: IXYS
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-247
Зворотна напруга Vrr, V: 1200 V
Середній струм Iav, A: 52 A
Час зворотного відновлення Trr, ns: 40 ns
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541 10 00 10
у наявності: 106 шт
  • 75 шт - склад
  • 21 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+127.00 грн
10+113.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.