Продукція > Транзистори > IGBT > IXGH16N170 IXYS
IXGH16N170

IXGH16N170 IXYS

ixys_s_a0008595176_1-2272819.pdf
Код товару: 119539
Виробник: IXYS
Корпус: TO-247
Vces: 1700 V
Vce: 3,5 V
Ic 25: 32 A
Ic 100: 16 A
у наявності 5 шт:
1 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна
1+303.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXGH16N170 за ціною від 427.96 грн до 1025.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-16n170-datasheet?assetguid=521904d3-bd7b-4fb7-962a-763ceeddcbd3 Description: IGBT NPT 1700V 32A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 45ns/400ns
Switching Energy: 9.3mJ (off)
Test Condition: 1360V, 16A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 78 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 190 W
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+939.90 грн
30+549.45 грн
120+471.42 грн
510+427.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595176-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH16N170 - IGBT, 32 A, 2.7 V, 190 W, 1.7 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.7V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 32A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+957.78 грн
5+769.78 грн
10+580.93 грн
50+536.29 грн
100+492.13 грн
250+489.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXG_16N170_Datasheet.PDF IGBTs 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1025.15 грн
10+754.41 грн
120+567.68 грн
510+536.73 грн
1020+510.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : Littelfuse littelfuse-discrete-igbts-npt-ixg-16n170-datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : Littelfuse littelfuse-discrete-igbts-npt-ixg-16n170-datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 190W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH16N170 IXGH16N170 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB99F1D44C151BF&compId=IXGH16N170-DTE.pdf?ci_sign=03a18b66e5d35198e9e236f78cf7b52f7cc4d616 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 16A; 190W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Collector current: 16A
Power dissipation: 190W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 90ns
Turn-off time: 1.6µs
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.