Продукція > IXYS > IXGH20N120A3
IXGH20N120A3

IXGH20N120A3 IXYS

Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_20N120A3_Datasheet.PDF Виробник: IXYS
IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+642.45 грн
10+461.04 грн
120+350.22 грн
510+327.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGH20N120A3 IXYS

Description: IGBT PT 1200V 40A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns, Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off), Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 50 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 180 W.

Інші пропозиції IXGH20N120A3 за ціною від 326.99 грн до 838.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+668.65 грн
3+345.90 грн
8+326.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995A97D0BC12338BF&compId=IXG_20N120A3.pdf?ci_sign=81a9cfbab75e86f2646df4a6079a62ddaef02364 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 20A; 180W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 66ns
Turn-off time: 1.53µs
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+802.39 грн
3+431.05 грн
8+392.39 грн
120+385.77 грн
300+377.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 Виробник : Ixys Corporation littelfuse-discrete-igbts-pt-ixg-20n120a3-datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+838.47 грн
30+503.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_20n120a3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 Виробник : Littelfuse littelfuse-discrete-igbts-pt-ixg-20n120a3-datasheet.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 180W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH20N120A3 IXGH20N120A3 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-20n120a3-datasheet?assetguid=06a9f4bd-9bf8-42b7-93fd-ad79977369ac Description: IGBT PT 1200V 40A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/290ns
Switching Energy: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
Test Condition: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 50 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 180 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.