IXGH20N120BD1 IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 40A TO-247AD
Power - Max: 190 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 72 nC
Switching Energy: 2.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH20N120BD1 IXYS
Description: IGBT 1200V 40A TO-247AD, Power - Max: 190 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 72 nC, Switching Energy: 2.1mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 25ns/150ns, Supplier Device Package: TO-247AD, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXGH20N120BD1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGH20N120BD1 | IXYS | IGBT Transistors 20 Amps 1200V 3.40 Rds |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXGH20N120BD1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 20 Amps 1200V 3.40 Rds
IGBT Transistors 20 Amps 1200V 3.40 Rds
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.