IXGH25N100A IXYS
Виробник: IXYS
Description: IGBT 1000V 50A 200W TO247AD
Power - Max: 200 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 130 nC
Test Condition: 800V, 25A, 33Ohm, 15V
Switching Energy: 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/500ns
Supplier Device Package: TO-247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH25N100A IXYS
Description: IGBT 1000V 50A 200W TO247AD, Power - Max: 200 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Obsolete, Gate Charge: 130 nC, Test Condition: 800V, 25A, 33Ohm, 15V, Switching Energy: 5mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 100ns/500ns, Supplier Device Package: TO-247AD, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 25A, Input Type: Standard, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції IXGH25N100A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXGH25N100A | IXYS |
IGBT Transistors HIGH SPEED IGBT 1000V 50A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IXGH25N100A |
![]() |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors HIGH SPEED IGBT 1000V 50A
IGBT Transistors HIGH SPEED IGBT 1000V 50A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


