на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 561.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH25N160 Littelfuse
Description: IGBT NPT 1600V 75A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: NPT, Gate Charge: 84 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції IXGH25N160 за ціною від 611.47 грн до 1063.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXGH25N160 | Виробник : IXYS |
IGBTs 75 Amps 1600V 2.5 Rds |
на замовлення 367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXGH25N160 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 75A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
IXGH25N160 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1600V 75A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IXGH25N160 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT NPT 1600V 75A TO-247ADPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: NPT Gate Charge: 84 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 300 W |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IXGH25N160 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; NPT; 1.6kV; 25A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.6kV Collector current: 25A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Turn-on time: 283ns Turn-off time: 526ns Features of semiconductor devices: high voltage |
товару немає в наявності |



