Продукція > IXYS > IXGH2N250
IXGH2N250

IXGH2N250 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_2n250_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 5.5A 32W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 2A
Supplier Device Package: TO-247AD
Gate Charge: 10.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 13.5 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 283 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1225.71 грн
30+955.28 грн
120+899.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGH2N250 IXYS

Description: IGBT 2500V 5.5A 32W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 2A, Supplier Device Package: TO-247AD, Gate Charge: 10.5 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 13.5 A, Power - Max: 32 W.

Інші пропозиції IXGH2N250 за ціною від 1067.42 грн до 1811.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGH2N250 IXGH2N250 Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-IGBTs-NPT-IXG-2N250-Datasheet.PDF IGBTs TO247 2500V 2A IGBT
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1811.63 грн
10+1300.46 грн
120+1067.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH2N250 IXGH2N250 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_2n250_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 2500V 5.5A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH2N250 IXGH2N250 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAFE9F6304CF820&compId=IXGH2N250.pdf?ci_sign=139bab15db439c626267cbd44ebcd44f0138782d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: NPT
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Collector current: 2A
Power dissipation: 32W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 13.5A
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 278ns
Features of semiconductor devices: high voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.