Продукція > IXYS > IXGH2N250
IXGH2N250

IXGH2N250 IXYS

littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_2n250_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: IGBT 2500V 5.5A 32W TO247
Power - Max: 32 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 13.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A
Part Status: Active
Gate Charge: 10.5 nC
Supplier Device Package: TO-247AD
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 2A
Input Type: Standard
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1165.73 грн
30+908.54 грн
120+855.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGH2N250 IXYS

Description: IGBT 2500V 5.5A 32W TO247, Power - Max: 32 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 13.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2500 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5.5 A, Part Status: Active, Gate Charge: 10.5 nC, Supplier Device Package: TO-247AD, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 2A, Input Type: Standard.

Інші пропозиції IXGH2N250 за ціною від 1123.88 грн до 2105.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXGH2N250 IXGH2N250 IXYS IXGH2N250.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 10.5nC
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 278ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13.5A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: NPT
Case: TO247-3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1755.77 грн
3+1435.91 грн
10+1301.29 грн
30+1160.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH2N250 IXGH2N250 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXG_2N250_Datasheet.PDF IGBTs TO247 2500V 2A IGBT
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2105.31 грн
10+1660.82 грн
120+1123.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH2N250 IXGH2N250.pdf
IXGH2N250
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 2.5kV; 2A; 32W; TO247-3
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high voltage
Type of transistor: IGBT
Gate charge: 10.5nC
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 278ns
Power dissipation: 32W
Collector current: 2A
Pulsed collector current: 13.5A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 2.5kV
Kind of package: tube
Technology: NPT
Case: TO247-3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1755.77 грн
3+1435.91 грн
10+1301.29 грн
30+1160.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH2N250 Littelfuse_Discrete_IGBTs_NPT_IXG_2N250_Datasheet.PDF
IXGH2N250
Виробник: IXYS
IGBTs TO247 2500V 2A IGBT
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2105.31 грн
10+1660.82 грн
120+1123.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.