Інші пропозиції IXGH30N120B3D1 Транзистор IGBT 1200V 300W TO247AD за ціною від 579.72 грн до 1045.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGH30N120B3D1 | Виробник : IXYS |
 IGBTs 60 Amps 1200V |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXGH30N120B3D1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip 1200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXGH30N120B3D1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip 1200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXGH30N120B3D1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip 1200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXGH30N120B3D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXGH30N120B3D1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 1200V TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off) Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 87 nC Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 300 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXGH30N120B3D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 471ns |
товару немає в наявності |