Продукція > IXYS > IXGH30N120B3D1
IXGH30N120B3D1

IXGH30N120B3D1 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n120b3d1_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT 1200V 300W TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns
Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 87 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 282 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+727.17 грн
30+ 567.13 грн
120+ 533.78 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGH30N120B3D1 IXYS

Description: IGBT 1200V 300W TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/127ns, Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off), Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 87 nC, Part Status: Active, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 300 W.

Інші пропозиції IXGH30N120B3D1 за ціною від 457.67 грн до 789.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 Виробник : IXYS media-3323171.pdf IGBT Transistors 60 Amps 1200V
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+789.69 грн
10+ 727.23 грн
30+ 548.68 грн
60+ 548.01 грн
120+ 516.13 грн
270+ 506.83 грн
510+ 457.67 грн
IXGH30N120B3D1 Транзистор IGBT 1200V 300W TO247AD
Код товару: 162398
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 Виробник : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n120b3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip 1200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 Виробник : IXYS IXGH(t)30N120B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 Виробник : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n120b3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip 1200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 Виробник : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n120b3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip 1200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXGH30N120B3D1 IXGH30N120B3D1 Виробник : IXYS IXGH(t)30N120B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 471ns
товар відсутній