IXGH32N120A3

IXGH32N120A3 Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 300W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+463.31 грн
10+ 432.81 грн
25+ 413.24 грн
50+ 394.46 грн
100+ 329.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGH32N120A3 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXGH32N120A3 - IGBT, 75 A, 2.35 V, 300 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: GenX3 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції IXGH32N120A3 за ціною від 434.96 грн до 767.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXGH32N120A3 IXGH32N120A3 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_32n120a3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1200V 75A 300W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 32A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Gate Charge: 89 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 230 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+706.33 грн
30+ 543.08 грн
IXGH32N120A3 IXGH32N120A3 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007912410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXGH32N120A3 - IGBT, 75 A, 2.35 V, 300 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GenX3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+725.04 грн
5+ 652.02 грн
10+ 578.25 грн
50+ 509.26 грн
100+ 443.9 грн
250+ 434.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXGH32N120A3 IXGH32N120A3 Виробник : IXYS media-3322730.pdf IGBT Transistors 32 Amps 1200V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+767.22 грн
10+ 648.55 грн
30+ 511.48 грн
120+ 469.63 грн
270+ 455.68 грн
IXGH32N120A3 IXGH32N120A3 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_32n120a3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXGH32N120A3 IXGH32N120A3 Виробник : IXYS IXGH(t)32N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 32A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 239ns
Turn-off time: 1.38µs
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXGH32N120A3 IXGH32N120A3 Виробник : IXYS IXGH(t)32N120A3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 32A; 300W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 230A
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 239ns
Turn-off time: 1.38µs
товар відсутній