на замовлення 300 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1736.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH32N170A IXYS
Description: IGBT 1700V 32A 350W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 21A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 46ns/260ns, Switching Energy: 1.5mJ (off), Test Condition: 850V, 32A, 2.7Ohm, 15V, Gate Charge: 155 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 32 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A, Power - Max: 350 W.
Інші пропозиції IXGH32N170A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXGH32N170A Код товару: 129525 |
 Транзистори > IGBTКорпус: TO-247 Vces: 1700 V Vce: 5 V Ic 25: 32 A Ic 100: 21 A td(on)/td(off) 100-150 град: 46/260 |
товар відсутній
|
|||
 |
IXGH32N170A | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 350000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXGH32N170A | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 32A 350W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXGH32N170A | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 21A; 350W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 21A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 110A Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Turn-on time: 107ns Turn-off time: 370ns Features of semiconductor devices: high voltage кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
.jpg "IXGH32N170A") |
IXGH32N170A | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1700V 32A 350W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5V @ 15V, 21A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 46ns/260ns Switching Energy: 1.5mJ (off) Test Condition: 850V, 32A, 2.7Ohm, 15V Gate Charge: 155 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 32 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A Power - Max: 350 W |
товар відсутній |
|
|
|
IXGH32N170A | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 21A; 350W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: NPT Collector-emitter voltage: 1.7kV Collector current: 21A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 110A Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Turn-on time: 107ns Turn-off time: 370ns Features of semiconductor devices: high voltage |
товар відсутній |