на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1062.48 грн |
| 10+ | 922.79 грн |
| 30+ | 728.03 грн |
| 60+ | 703.45 грн |
| 120+ | 701.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH40N120A2 IXYS
Description: IGBT 1200V 75A 360W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/420ns, Switching Energy: 15mJ (off), Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 136 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 360 W.
Інші пропозиції IXGH40N120A2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGH40N120A2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
|
 |
IXGH40N120A2 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Turn-on time: 55ns Turn-off time: 2.3µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
.jpg "IXGH40N120A2") |
IXGH40N120A2 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 1200V 75A 360W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 22ns/420ns Switching Energy: 15mJ (off) Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V Gate Charge: 136 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 360 W |
товар відсутній |
|
|
|
IXGH40N120A2 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 40A; 360W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: PT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 360W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 136nC Kind of package: tube Turn-on time: 55ns Turn-off time: 2.3µs |
товар відсутній |