Продукція > IXYS > IXGH40N120B2D1

IXGH40N120B2D1 IXYS


Littelfuse-Discrete-IGBTs-PT-IXG-40N120B2D1-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGH40N120B2D1 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; PT, Power dissipation: 380W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 138nC, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 200A, Turn-on time: 79ns, Turn-off time: 770ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 40A, Collector-emitter voltage: 1.2kV.

Інші пропозиції IXGH40N120B2D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 IXYS SEMICONDUCTOR 2359842.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120B2D1 - IGBT, 75 A, 2.9 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 2359842.pdf
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120B2D1 - IGBT, 75 A, 2.9 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.