Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH40N120B2D1 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; PT, Power dissipation: 380W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 138nC, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 200A, Turn-on time: 79ns, Turn-off time: 770ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 40A, Collector-emitter voltage: 1.2kV.
Інші пропозиції IXGH40N120B2D1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXGH40N120B2D1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120B2D1 - IGBT, 75 A, 2.9 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 380 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 Betriebstemperatur, max.: 150 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75 SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXGH40N120B2D1 |
![]() |
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120B2D1 - IGBT, 75 A, 2.9 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXGH40N120B2D1 - IGBT, 75 A, 2.9 V, 380 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 380
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




