Продукція > IXYS > IXGH40N120B2D1
IXGH40N120B2D1

IXGH40N120B2D1 IXYS


media-3322693.pdf Виробник: IXYS
IGBTs IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 71 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1502.28 грн
30+1088.64 грн
120+902.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGH40N120B2D1 IXYS

Description: IGBT 1200V 75A 380W TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/290ns, Switching Energy: 4.5mJ (on), 3mJ (off), Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 138 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 380 W.

Інші пропозиції IXGH40N120B2D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 380000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACE7B86DFC1820&compId=IXGH40N120B2D1.pdf?ci_sign=f69cd0ee46700a68335dcbe7633483cd24211c52 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_40n120b2d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1200V 75A 380W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/290ns
Switching Energy: 4.5mJ (on), 3mJ (off)
Test Condition: 960V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 138 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 380 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH40N120B2D1 IXGH40N120B2D1 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DACE7B86DFC1820&compId=IXGH40N120B2D1.pdf?ci_sign=f69cd0ee46700a68335dcbe7633483cd24211c52 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 380W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 380W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 138nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 770ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.