IXGH50N120C3

IXGH50N120C3 Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 460W 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGH50N120C3 Littelfuse

Description: IGBT PT 1200V 75A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/123ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 196 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A, Power - Max: 460 W.

Інші пропозиції IXGH50N120C3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGH50N120C3 IXGH50N120C3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD246A67187820&compId=IXGH50N120C3.pdf?ci_sign=38e9870a4fb4296be0a0bbda74474af0275c3fb6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N120C3 IXGH50N120C3 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixgh50n120c3-datasheet?assetguid=301d9315-d6d7-4c44-85fa-549d9b9590b6 Description: IGBT PT 1200V 75A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/123ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 196 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 460 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N120C3 IXGH50N120C3 Виробник : IXYS media-3320210.pdf IGBTs 75Amps 1200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N120C3 IXGH50N120C3 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DAD246A67187820&compId=IXGH50N120C3.pdf?ci_sign=38e9870a4fb4296be0a0bbda74474af0275c3fb6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 460W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 485ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 460W
Kind of package: tube
Gate charge: 196nC
Technology: GenX3™; PT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.