Продукція > IXYS > IXGH50N90B2D1
IXGH50N90B2D1

IXGH50N90B2D1 IXYS

IXG_50N90B2D1.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1259.88 грн
3+1052.15 грн
5+978.36 грн
10+871.40 грн
30+735.43 грн
60+689.00 грн
120+660.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGH50N90B2D1 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXGH50N90B2D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 400 W, 900 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, Verlustleistung: 400W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFAST Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції IXGH50N90B2D1 за ціною від 696.88 грн до 1453.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixg-50n90b2d1-datasheet?assetguid=2e279473-09ba-4249-a4b1-571a513a4075 Description: IGBT PT 900V 75A TO-247AD
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Input Type: Standard
Power - Max: 400 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 135 nC
Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 4.7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1335.17 грн
30+802.62 грн
120+696.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Ixys Corporation media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1453.96 грн
13+1169.14 грн
30+1005.60 грн
120+849.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_50N90B2D1_Datasheet.PDF IGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 LITTELFUSE LFSI-S-A0007912956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXGH50N90B2D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 400 W, 900 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Verlustleistung: 400W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFAST Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 littelfuse-discrete-igbts-ixg-50n90b2d1-datasheet?assetguid=2e279473-09ba-4249-a4b1-571a513a4075
IXGH50N90B2D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 900V 75A TO-247AD
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Input Type: Standard
Power - Max: 400 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Gate Charge: 135 nC
Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 4.7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247AD
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1335.17 грн
30+802.62 грн
120+696.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 media.pdf
IXGH50N90B2D1
Виробник: Ixys Corporation
Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1453.96 грн
13+1169.14 грн
30+1005.60 грн
120+849.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 Littelfuse_Discrete_IGBTs_PT_IXG_50N90B2D1_Datasheet.PDF
IXGH50N90B2D1
Виробник: IXYS
IGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 LFSI-S-A0007912956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXGH50N90B2D1
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXGH50N90B2D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 400 W, 900 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
Verlustleistung: 400W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFAST Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.