Продукція > IXYS > IXGH50N90B2D1
IXGH50N90B2D1

IXGH50N90B2D1 IXYS

littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n90b2d1_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 900V 75A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns
Switching Energy: 4.7mJ (off)
Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 400 W
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1232.41 грн
30+960.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGH50N90B2D1 IXYS

Description: IGBT PT 900V 75A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 200 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns, Switching Energy: 4.7mJ (off), Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 135 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 400 W.

Інші пропозиції IXGH50N90B2D1 за ціною від 611.16 грн до 1409.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Виробник : IXYS media-3320028.pdf IGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1343.46 грн
10+1166.77 грн
30+923.53 грн
60+901.34 грн
120+864.61 грн
270+860.79 грн
510+847.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007912956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXGH50N90B2D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 400 W, 900 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFAST Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1409.38 грн
5+1142.44 грн
10+875.50 грн
50+781.08 грн
100+691.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n90b2d1_datasheet.pdf.pdf IXGH50N90B2D1 THT IGBT transistors
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1022.79 грн
2+646.55 грн
5+611.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgk50n90b2d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.