IXGH50N90B2D1 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector-emitter voltage: 900V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 400W
Kind of package: tube
Gate charge: 135nC
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 778.24 грн |
| 2+ | 518.81 грн |
| 3+ | 518.04 грн |
| 5+ | 489.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH50N90B2D1 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXGH50N90B2D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 400 W, 900 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFAST Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції IXGH50N90B2D1 за ціною від 587.63 грн до 1291.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXGH50N90B2D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 900V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Turn-on time: 48ns Turn-off time: 820ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 400W Kind of package: tube Gate charge: 135nC Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 267 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXGH50N90B2D1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT PT 900V 75A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns Switching Energy: 4.7mJ (off) Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 135 nC Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 400 W |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXGH50N90B2D1 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXGH50N90B2D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 400 W, 900 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HiPerFAST Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXGH50N90B2D1 | Виробник : IXYS |
IGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXGH50N90B2D1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IXGH50N90B2D1 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |