Продукція > IXYS > IXGH50N90B2D1
IXGH50N90B2D1

IXGH50N90B2D1 IXYS


littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_50n90b2d1_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 900V 75A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/350ns
Switching Energy: 4.7mJ (off)
Test Condition: 720V, 50A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 400 W
на замовлення 296 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+708.49 грн
30+ 552.53 грн
120+ 520.03 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGH50N90B2D1 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXGH50N90B2D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 400 W, 900 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HiPerFAST Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції IXGH50N90B2D1 за ціною від 417.82 грн до 769.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007912956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXGH50N90B2D1 - IGBT, 75 A, 2.2 V, 400 W, 900 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFAST Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 900V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+726.53 грн
5+ 657.98 грн
10+ 589.42 грн
50+ 531.41 грн
100+ 475.2 грн
250+ 465.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Виробник : IXYS media-3320028.pdf IGBT Transistors 50 Amps 900V 2.7 Rds
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+769.54 грн
10+ 669.17 грн
30+ 503.51 грн
60+ 502.18 грн
510+ 455.02 грн
1020+ 417.82 грн
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Виробник : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgk50n90b2d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 400000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товар відсутній
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Виробник : IXYS IXG_50N90B2D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXGH50N90B2D1 IXGH50N90B2D1 Виробник : IXYS IXG_50N90B2D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 50A; 400W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; HiPerFAST™; PT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 48ns
Turn-off time: 820ns
товар відсутній