на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 877.49 грн |
| 10+ | 741.77 грн |
| 30+ | 483.57 грн |
| 120+ | 473.62 грн |
| 1020+ | 434.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGH6N170 IXYS
Description: IGBT NPT 1700V 12A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 6A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: NPT, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/250ns, Switching Energy: 1.5mJ (off), Test Condition: 1360V, 6A, 33Ohm, 15V, Gate Charge: 20 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A, Power - Max: 75 W.
Інші пропозиції IXGH6N170
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGH6N170 | Виробник : Littelfuse |
 Trans IGBT Chip N-CH 1700V 12A 75W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|
 |
IXGH6N170 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 6A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |
|
 |
IXGH6N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Technology: NPT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 20nC Turn-on time: 85ns Turn-off time: 0.6µs Collector current: 6A Pulsed collector current: 24A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 75W Collector-emitter voltage: 1.7kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXGH6N170 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT NPT 1700V 12A TO-247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 6A Supplier Device Package: TO-247AD IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 40ns/250ns Switching Energy: 1.5mJ (off) Test Condition: 1360V, 6A, 33Ohm, 15V Gate Charge: 20 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A Power - Max: 75 W |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXGH6N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 6A; 75W; TO247-3 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Technology: NPT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate charge: 20nC Turn-on time: 85ns Turn-off time: 0.6µs Collector current: 6A Pulsed collector current: 24A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 75W Collector-emitter voltage: 1.7kV |
товару немає в наявності |