IXGK100N170 IXYS
Виробник: IXYSDescription: IGBT 1700V 170A PLUS264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS264™
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/285ns
Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4489.33 грн |
| 25+ | 3254.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXGK100N170 IXYS
Description: IGBT 1700V 170A PLUS264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: PLUS264™, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/285ns, Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 425 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 170 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 830 W.
Інші пропозиції IXGK100N170 за ціною від 4215.67 грн до 4885.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXGK100N170 | Виробник : IXYS |
IGBTs HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A |
на замовлення 388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
IXGK100N170 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 170A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXGK100N170 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 170A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
IXGK100N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Technology: NPT Case: TO264 Kind of package: tube Turn-on time: 285ns Gate charge: 425nC Turn-off time: 720ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 830W Collector-emitter voltage: 1.7kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
IXGK100N170 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264 Mounting: THT Features of semiconductor devices: high voltage Type of transistor: IGBT Technology: NPT Case: TO264 Kind of package: tube Turn-on time: 285ns Gate charge: 425nC Turn-off time: 720ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 830W Collector-emitter voltage: 1.7kV |
товару немає в наявності |