Продукція > IXYS > IXGK100N170
IXGK100N170

IXGK100N170 IXYS

IXGK(X)100N170.pdf Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Mounting: THT
Turn-on time: 285ns
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 425nC
Technology: NPT
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO264
Turn-off time: 720ns
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2308.19 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXGK100N170 IXYS

Description: IGBT PT 1000V 120A TO-264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: PLUS264™, Td (on/off) @ 25°C: 35ns/285ns, Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 425 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 170 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A, Power - Max: 830 W.

Інші пропозиції IXGK100N170 за ціною від 2695.59 грн до 3092.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXGK100N170 IXGK100N170 Виробник : IXYS IXGK(X)100N170.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; NPT; 1.7kV; 100A; 830W; TO264
Mounting: THT
Turn-on time: 285ns
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 830W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high voltage
Gate charge: 425nC
Technology: NPT
Collector current: 100A
Gate-emitter voltage: ±20V
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.7kV
Case: TO264
Turn-off time: 720ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2769.82 грн
IXGK100N170 IXGK100N170 Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=d50514ee-b55f-4642-987d-987526d4ab03&filename=littelfuse_discrete_igbts_npt_ixg_100n170_datasheet.pdf Description: IGBT PT 1000V 120A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PLUS264™
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/285ns
Test Condition: 850V, 100A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 425 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 830 W
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2844.66 грн
IXGK100N170 IXGK100N170 Виробник : IXYS media-3323070.pdf IGBT Transistors HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3092.16 грн
10+ 2695.59 грн
IXGK100N170 IXGK100N170 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 170A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній
IXGK100N170 IXGK100N170 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1700V 170A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-264
товар відсутній